光刻胶是一种特殊的有机化合物，用于微电子制造中的光刻工艺。它在暴露于紫外光、电子束、离子束或X射线等辐射后，溶解度会发生变化。光刻胶在制造集成电路（IC）和其他微纳米结构中扮演着至关重要的角色，因为它可以将掩模版上的微小图案转移到硅晶圆或其他基材上。

光刻胶主要由以下成分组成：

感光树脂：作为主要成分，是一种高分子化合物，赋予光刻胶感光度和分辨率。

增感剂：提高光刻胶对光的敏感度，实现更精细的图案转移。

溶剂：使光刻胶均匀涂布在基材表面。

光刻胶可分为正胶和负胶：

正胶：曝光后，受光照部分溶解度增加，显影后只留下未受光照部分形成图形。

负胶：曝光后，受光照部分溶解度降低，显影后留下受光照部分形成图形。

光刻胶的性能决定了加工成品的精密程度和良品率，是半导体材料中极为关键的一环